|
Kompanija Intel predstavila je prve čipove proizvedene 65-nanometarskom tehnologijom. Radi se o statičkim memorijskim čipovima (SRAM, static RAM).
Predstavnici kompanije su na konferenciji za štampu izjavili de će se mikroprocesori zasnovani na ovoj tehnologiji pojaviti 2005. godine. Intel koristi SRAM čipove za testiranje tehnološkog procesa zato što jednostavno projektuju i testiraju, a potom će tranzistori biti upotrebljeni za nove generacije procesora P4 i Xeon.
Proizvodi zasnovani na 90-nanometarskoj tehnologiji se očekuju uskoro, verovatno već za nekoliko nedelja. Za 65-nanometarsku tehnologiju, Intel će koristiti napregnuti silicijum i bakarne međuveze, isto kao kod 90-nanometarske.
Napregnuti silicijum je tehnologoja nanošenja silicijujum-germanijuma na silicijumsku podlogu. Atomi svake supstance prirodno teže da se poravnaju, što rasteže silicijum i tako omogućava bolji protok elektrona.
Intel će takođe koristiti osam slojeva bakra za veze između elemenata i novi izolator (niska vrednost prametra “K”) čime će smanjiti potrošnju struje. Cena prelaska na 65-nanometarsku tehnologiju neće biti visoka, jer će moći da se upotrebi veći deo alata koji se koristi u 90-nanometarskom procesu. Novi čipovi će se u početku proizvoditi u Intelovoj fabrici u Hilsborou u Oregonu, a vremenom će se proširiti i u ostale pogone.
Za sledeću generaciju čipova Intel predviđa 45-nanometarski proces i uvođenje metalnih gejtova u tranzistore. Metalni gejt je novo otkriće i još se ispituje, tako da neće biti primenjen u 90- i 65-nanometarskim čipovima.
U Intelu naglašavaju da niska vrednost prametra “K” kod novih izolatora sprečava nekontrolisan odliv struje zbog izuzetno malih debljina struktura u 45-nanometarskoj tehnologiji.
MikroVesti
|
